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J-GLOBAL ID：200903027770308268

直流スパッタリング装置およびスパッタリング方法

Inventor： 西村 直樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993198846
Publication number (International publication number)：1995034236
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Feb. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 欠陥の少ない膜を安定して、効率よく得ることができる直流スパッタリング装置、スパッタリング方法及びそれを用いて光ディスクを製造する方法を提供する。【構成】 ターゲット1と、該ターゲット1に対向して設けられたアースシールド3を備えた直流スパッタリング装置において、前記アースシールド3の少なくともターゲットに対向する部分が絶縁性物質4で被覆されている直流スパッタリング装置。その装置を用いてスパッタリングを行う直流スパッタリング方法。その直流スパッタリング方法を用いて基板上に記録層および誘電体層を成膜する光ディスクの製造方法。

Claim (excerpt)：

ターゲットと、該ターゲットに対向して設けられたアースシールドを備えた直流スパッタリング装置において、前記アースシールドの少なくともターゲットに対向する部分が絶縁性物質で被覆されていることを特徴とする直流スパッタリング装置。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  G11B 7/26 501 ,  G11B 11/10 541

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-278062
  
• 特開昭63-192866
  
• 特開平4-210471