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J-GLOBAL ID：200903027776525406
半導体装置の内部電源回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030397
Publication number (International publication number)：1995014394
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】この発明の目的は、アドレスの切替え時のように、半導体装置に一時的に大きな電流が流れた場合においても、安定した内部電圧を供給することが可能な半導体装置の内部電源回路を提供することである。【構成】昇圧回路30の出力端には、大きな容量を有するキャパシタ31が接続されている。このキャパシタ31は昇圧回路30によって内部電圧Vccint より高い内部高電圧Vccint2に充電される。昇圧回路30の出力端には、Nチャネルトランジスタ32のドレインが接続されている。このトランジスタ32のゲートには内部電圧Vccint より閾値電圧分高い電圧VG が供給され、ソースから内部電圧Vccint が出力される。内部電圧Vccint が低下するとトランジスタ32が導通し、このトランジスタ32を介してキャパシタ31が放電される。
Claim (excerpt)：
外部電圧をこの外部電圧より高く前記半導体装置内で使用する第1の内部電圧より高いレベルの第2の内部電圧に昇圧する昇圧手段と、前記昇圧手段の出力端に接続され、昇圧手段から出力される第2の内部電圧を保持する保持手段と、前記昇圧手段の出力端に接続され、前記第2の内部電圧から前記第1の内部電圧を生成して前記半導体装置に供給し、前記半導体装置のアドレス信号の切替え時に前記第1の内部電圧が低下した場合、前記保持手段に保持した第2の内部電圧を放電させる制御手段とを具備することを特徴とする半導体装置の内部電源回路。
IPC (5)：
G11C 16/06
, G05F 1/56 310
, G11C 11/413
, G11C 11/407
, H03K 19/00
G11C 17/00 309 D
, G11C 11/34 335 A
, G11C 11/34 354 F
