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J-GLOBAL ID:200903027779785077
陰イオン交換体及びその製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 曉司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999170537
Publication number (International publication number):2001002738
Application date: Jun. 17, 1999
Publication date: Jan. 09, 2001
Summary:
【要約】【課題】 物理的性質にすぐれ、用途に適した形状への成形加工が容易で優れた特性を有すると共に耐熱性に優れ、溶出の少ない陰イオン交換体ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】 高分子基材上に 少なくとも下記一般式(1)又は(2)で表される構造単位をグラフト重合してなる陰イオン交換体。【化1】(上記式中、Aは炭素数3〜8のアルキレン基又は炭素数4〜8のアルコキシメチレン基を示し、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数6以下のアルキル基又はアルカノール基を示し、Xはアンモニウム塩の対イオンを示す。環a、bは更に置換されていてもよい。)
Claim (excerpt):
高分子基材上に、少なくとも下記一般式(1)又は(2)で表される構造単位をグラフト重合してなる陰イオン交換体。【化1】(上記式中、Aは炭素数3〜8のアルキレン基又は炭素数4〜8のアルコキシメチレン基を示し、R1 、R2 、R3 はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又はアルカノール基を示し、Xはアンモニウム塩の対イオンを示す。環a、bは更に置換されていても良い。)
IPC (3):
C08F257/02
, B01J 41/14
, C08J 5/20
FI (3):
C08F257/02
, B01J 41/14 F
, C08J 5/20
F-Term (38):
4F071AA09C
, 4F071AA14C
, 4F071AA22
, 4F071AA33C
, 4F071AA43C
, 4F071AA53C
, 4F071AA54C
, 4F071AA77
, 4F071FA01
, 4F071FA10
, 4F071FB02
, 4F071FC06
, 4F071FD02
, 4J026AA02
, 4J026AA11
, 4J026AA12
, 4J026AA13
, 4J026AA14
, 4J026AA17
, 4J026AA26
, 4J026AA55
, 4J026AB02
, 4J026AB07
, 4J026AB28
, 4J026AC01
, 4J026AC02
, 4J026AC11
, 4J026AC12
, 4J026BA08
, 4J026BB01
, 4J026DB03
, 4J026DB09
, 4J026DB12
, 4J026DB15
, 4J026DB16
, 4J026FA01
, 4J026GA01
, 4J026GA08
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