Pat
J-GLOBAL ID：200903027796148781
導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
溝上 満好
, 溝上 哲也
, 岩原 義則
, 山本 進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005296592
Publication number (International publication number)：2007107025
Application date： Oct. 11, 2005
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：
【課題】痕や応力変形などを残さずに導電性金属酸化物薄膜を除去する方法と装置を提供する。【解決手段】基材11の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜12の上方に配置され、円筒形状となされた絶縁体13aの内周面側および外周面側に電極13b,13cを設けた円筒状電極体13と、前記内周側電極13bが正極、外周側電極13cが負極となるように電圧を印加する電源14を備える。円筒状電極体13の内部に電解液19を導入し、この導入した電解液19を介して前記基材11の導電性金属酸化物薄膜12を還元反応により除去する。【効果】疵や応力変形を生じさせずに導電性金属酸化物薄膜を基材の端部まで効率良く除去でき、高価な機能性ガラス基板などの再生利用が可能になる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基材の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜の上方に、
円筒形状の絶縁体と、この絶縁体の内周面側および外周面側に設けられた電極とで構成された円筒状電極体を配置し、
この円筒状電極体の内部に電解液を導入し、この導入した電解液を介して前記基材表面の導電性金属酸化物薄膜を還元反応により除去することを特徴とする導電性金属酸化物薄膜の除去方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (3)
Return to Previous Page
