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J-GLOBAL ID：200903027796907860

半導体レーザ用高反射膜構造および半導体レーザ

Inventor： 須郷 満 ,  西谷 昭彦 ,  竹下 達也 ,  伊賀 龍三
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997168399
Publication number (International publication number)：1999017248
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高出力半導体レーザ用高反射膜構造および高出力半導体レーザを提供することを課題とする。【解決手段】 低屈折率層と高屈折率層を交互に積層し構成する半導体レーザ用高反射膜構造において、半導体レーザ1に接する第一の低屈折率層2が少なくともSiO2 よりも放熱性の高い材料から構成され、次いで半導体レーザ1に近い第二の低屈折率層以降の低屈折率層8が該第一の低屈折率層2より屈折率の低い材料から構成されている。

Claim (excerpt)：

低屈折率層と高屈折率層を交互に積層し構成する半導体レーザ用高反射膜構造において、半導体レーザに接する第一の低屈折率層が少なくともSiO2 よりも放熱性の高い材料から構成され、次いで半導体レーザに近い第二の低屈折率層以降の低屈折率層が該第一の低屈折率層より屈折率の低い材料から構成されていることを特徴とする半導体レーザ用高反射膜構造。

IPC (2)：

H01S 3/085 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01S 3/08 S ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-190669   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社