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J-GLOBAL ID：200903027803881511

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 中村 健一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992066636
Publication number (International publication number)：1994045355
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】ゲート電極とソース・ドレイン領域の間に形成される寄生容量が小さく高周波特性に優れる多結晶シリコン薄膜トランジスタを少ない工程数で作製する。【構成】ガラス基板1上の導伝性遮光膜からなるゲート電極2をマスクとして、半導体層4への不純物注入用マスク7を背面露光により形成し、不純物注入用マスクを除去した後にエキシマレーザビーム11を照射する。これにより、1回のレーザアニールで活性層10のアニールとソース・ドレイン領域9の活性化が同時に行えるため工程数が減少し、しかも寄生容量の少ない多結晶シリコン薄膜トランジスタを作製することがでぎる。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板表面に導電性遮光膜からなるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を覆うようにして透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を覆うようにして光透過性の半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にレジスト膜を塗布したのち前記透明絶縁性基板の裏面より光を照射し現像して少くとも前記ゲート電極と重なるように不純物注入用のマスクを形成する工程と、このマススを用い前記半導体層に不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する工程と、前記マスクを除去したのち前記半導体層にレーザビームを照射し半導体層の再結晶化と注入不純物の活性化とを同時に行う工程とを有するこを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 Y