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J-GLOBAL ID：200903027806128881

プラズマ膜堆積装置

Inventor： 鈴木 直樹 ,  宝珍 隆三
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992233365
Publication number (International publication number)：1994084804
Application date： Sep. 01, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ステップカバレージ特性,平坦性に優れた良質なSiO2膜を低温で形成することができるプラズマ膜堆積装置を提供することを目的とする。【構成】 プラズマ膜堆積装置において、反応ガスとしてTEOSガスとO3(オゾン)ガスを用いることにより、低温での良質な膜形成が可能となる。また、高周波電極15を100〜200°C程度に加熱することにより、基板22上でのO3(オゾン)ガスの分解をより効果的に行うことができるので低温で平坦性に優れた良質なSiO2膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室と、前記反応室内に基板を載置し加熱するための加熱機構を有する基板台と、前記基板台に対向した位置に配置された高周波電極とからなり、前記反応ガス導入口から有機シリコンソースガスとオゾンガスを導入することを特徴とするプラズマ膜堆積装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31