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J-GLOBAL ID：200903027810377675

半導体基板

Inventor： 岡本 弘之
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991189337
Publication number (International publication number)：1993013442
Application date： Jul. 03, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、絶縁基板上に導電性薄膜からなる電極、それを蔽う絶縁膜、その上に再結晶した半導体膜という構成の半導体基板において、その製造に際し、簡単な構成で、複雑なレーザ光学系を使用することなく再結晶化した半導体膜の面積を拡大することの可能な電極を有する半導体基板の提供を目的とする。【構成】 本発明は、絶縁基板上に導電性薄膜からなる電極、それを蔽う絶縁膜、その上に再結晶した半導体膜という構成の半導体基板において、電極として光反射率が相違する少なくとも2種類の導電性薄膜から成る電極、あるいはビームに対して透明な電極と、該透明電極の一部を蔽うように形成したビームに対して不透明な導電性薄膜からなる電極を使用することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ビームの照射によって、半導体層の温度分布が、その中心領域に温度の極小部を設定でき、双峰型になるように、光反射率が相違する少なくとも2種類の導電性薄膜が配置された電極と、該電極上に形成した絶縁膜と、該絶縁膜上にビームアニールによって再結晶化した半導体膜を設けてなる半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20