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J-GLOBAL ID：200903027819144673
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991185340
Publication number (International publication number)：1993013816
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 同一面側に正負一対の電極を有する発光ダイオードにおけるボンディング不良を低減すると同時に電極間のショート不良を低減し、且つ、発光強度の向上を図る。【構成】 発光ダイオード10には同一面側に正負一対のi層5の電極7、高キャリヤ濃度n+ 層3の電極8が形成され、電極7の一部分及びi層5の全面には電極7,8の露出面積がほぼ同じとなるようにSiO2から成る絶縁層9が形成されている。これにより、電極7,8上に形成されたはんだバンプ17,18の高さが略等しくでき、発光ダイオード10はリードフレーム20のリード部材21,22への接合不良が軽減される。又、電極7面の電極8に近い部分を絶縁層9にて覆うことにより、電極7,8の間を離してショート不良が軽減される。更に、電極7は電極面積を極力大きくできるので、発光ダイオード10は発光強度を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
同一面側に正負一対の電極が形成された半導体発光素子において、前記正負一対の電極の露出面積がほぼ同じとなるようにそれらの部分を除いて前記電極側の全面を覆う絶縁層を有することを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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