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J-GLOBAL ID：200903027824853038
プラズマ処理装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992218346
Publication number (International publication number)：1993335283
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エッチングレートの面内均一性を高めること。【構成】 マグネトロンプラズマエッチング装置には、シリコンウェハ10を載置しかつ電極として機能するサセプタ12が配設される。サセプタ12の周囲には、ウェハ10よりも大きな外径を有しかつこれよりも電気抵抗の低いカーボンリング22が配設される。カーボンリング22はサセプタ12と電気的に接続される。カーボンリング22により、エッチング処理のウェハ面内均一性が向上する。
Claim (excerpt)：
被処理体を載置する第1の電極とこの第1の電極に対向する第2の電極とを有し、処理ガス雰囲気下で前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を発生させることによりプラズマを生成し、このプラズマの作用によって前記被処理体の処理を行なうプラズマ処理装置において、前記第1の電極と導通し或いはほぼ同電位となるように制御され且つ前記被処理体の周縁部近傍に設けられた導電性リングを有し、且つ、この導電性リングの外径が、前記被処理体の直径よりも大きいことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/302
, C23C 14/34
, C23C 16/50
, C23F 4/00
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (10)
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