プラズマCVD装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田中浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998269434
Publication number (International publication number)：2000096250
Application date： Sep. 24, 1998
Publication date： Apr. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマの形状を制御しつつ、非対称のパルス電源によりチャージアップを防止するようにして被処理物上に高硬度の被膜を形成する。【解決手段】回転可能な被処理物15が装填されている真空槽1と、この真空槽1に結合していてプラズマを発生するとともにこのプラズマを真空槽1内に供給するプラズマ室3と、発生したプラズマの形状を制御するための主コイル26、補助コイル27および材料ガスノズル13を備えていて、上記被処理物15に、電圧が接地電位を基準として非対称であり、その負電圧の絶対値が正電圧の絶対値よりも大きく、その周波数が10kHz乃至250kHzで、正電圧に維持される時間の最小値が0.1μsであって、最大値がデューティー比で表して40%であるパルス電圧をパルス電源18から印加することでチャージアップを防止して被処理物上に高硬度の被膜を形成する。

Claim (excerpt)：

排気手段によって内部が排気されている真空槽と、上記真空槽に結合されていてプラズマを発生すると共に該プラズマを上記真空槽内に供給するプラズマ室と、上記真空槽内において上記プラズマの供給部分の中心から上記プラズマの供給方向に真っ直ぐに伸びる軸線に対して平行な方向に所定の間隔を隔てて少なくとも1つ以上設けられた被処理物をその所定の部分が上記軸線に対向する状態に支持する支持部と、上記プラズマ室内に上記軸線を中心に対称な分布であると共に上記プラズマ室から上記真空槽内に向かう方向の第1の磁界を発生させる第1の磁界発生手段と、上記支持部を挟んで上記プラズマ室とは反対側の上記真空槽内に上記軸線を中心に対称な分布であると共に上記第1の磁界と同方向あるいは逆方向の第2の磁界を発生させる第2の磁界発生手段と、上記真空槽内に材料ガスを供給する材料ガス供給手段とを具備し、上記第1及び第2の磁界発生手段が上記第1及び第2の磁界の強さを各々独立して可変できる状態に構成され、かつ上記被処理物に、接地電位を基準として非対称のパルス電圧が印加され、このパルス電圧は、その負電圧の絶対値が正電圧の絶対値よりも大きく、その周波数が10kHz乃至250kHzで、上記正電圧に維持される時間の最小値が0.1μsであって、最大値がデューティ比で表して40%のものであることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (2)：

C23C 16/515 , H01L 21/31

FI (2)：

C23C 16/50 G , H01L 21/31 C

F-Term (36)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA28 , 4K030BA37 , 4K030BB13 , 4K030CA02 , 4K030FA01 , 4K030GA02 , 4K030HA01 , 4K030HA06 , 4K030JA17 , 4K030JA18 , 4K030KA08 , 4K030KA19 , 4K030KA30 , 4K030KA34 , 4K030LA02 , 5F045AA08 , 5F045AA14 , 5F045AB06 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC07 , 5F045AE13 , 5F045AF02 , 5F045AF10 , 5F045DP27 , 5F045EF04 , 5F045EH04 , 5F045EH06 , 5F045EH16 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045EH20 , 5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-148676 Applicant：神港精機株式会社

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