成膜装置及び成膜方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003179064
Publication number (International publication number)：2005019499
Application date： Jun. 24, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】光エネルギーを用いることにより成膜温度の低温化を図り、また光透過窓において成膜による光の透過が妨げられないようにすること。【解決手段】第1の反応容器と第2の反応容器とを用意し、更に第1、第2の反応容器の間で基板を搬送するための気密な搬送室を用意する。第1の反応容器には第1の原料ガス例えばジクロロシランガスを供給する第1のガス供給部を設け、第2の反応容器には第2の原料ガス例えばアンモニアガスを供給する第2のガス供給部と光照射部例えばエキシマーランプとを設ける。先ず第1の反応容器内にて基板を加熱してジクロロシランガスの単分子層を形成し、次いでこの基板を第2の反応容器に搬送してアンモニアガスを基板表面に供給すると共にエキシマーランプからの光エネルギーにより、基板表面のジクロロシラン分子とアンモニアとを反応させ窒化シリコン膜を成膜する。このサイクルを例えば2回以上行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理体が搬入される第1の反応容器と、第1の原料ガスを前記第1の反応容器内に供給する第1のガス供給部と、を備え、被処理体の表面に第1の原料ガスの分子を吸着させる第1の反応部と、この第1の反応部にて処理が行われた被処理体が搬入される第2の反応容器と、そのガス単独では成膜が行われない第2の原料ガスを前記第2の反応容器内に供給する第2のガス供給部と、光エネルギーを被処理体の表面に与える光照射手段と、を備え、被処理体の表面に吸着されている第1の原料ガスの分子と第2の原料ガスの分子とを、前記光エネルギーにより反応させて反応生成物を得る第2の反応部と、前記第1の反応部にて処理された被処理体を第2の反応部に搬送する搬送手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (2)：

H01L21/205 , C23C16/48

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/48

F-Term (34)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030FA08 , 4K030GA04 , 4K030GA12 , 4K030KA49 , 4K030LA15 , 5F045AA11 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045DQ17 , 5F045EB02 , 5F045EB08 , 5F045EB10 , 5F045EC03 , 5F045EK19 , 5F045EM10 , 5F045EN04

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