Pat
J-GLOBAL ID：200903027842030480
レジスト構造物の製法
Inventor：
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991119178
Publication number (International publication number)：1995050286
Application date： Apr. 22, 1991
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【構成】 基板上に、無水物基及びブロックされたイミド基又はフェノールヒドロキシ基を含むポリマーと露光時に強酸を生じる化合物の形の光活性成分とからなるフォトレジスト層を施し、このフォトレジスト層を像に応じて露光し、露光したフォトレジスト層を多官能性アミノ-又はヒドロキシシロキサンの水溶液又は水性アルコール溶液で処理し、こうして処理したフォトレジスト層を酸素含有プラズマ中でエッチングする。【効果】 操作が簡単で、酸素プラズマ中で高い選択性を有し、既存の通常の装置を使用することを可能とし、また特にDUV領域内で高い感光性を有する乾式現像可能の急傾斜の側面を有する高度に解像されたレジスト構造物が得られる。
Claim (excerpt)：
急傾斜の側面を有する高度に解像されたレジスト構造物を製造する方法において、-基板上に、無水物基及びブロックされたイミド基又はフェノールヒドロキシ基を含むポリマーと、露光時に強酸を形成する化合物の形の光活性成分とからなるフォトレジスト層を施し、-このフォトレジスト層を像に応じて露光し、-露光したフォトレジスト層を、多官能性アミノ-又はヒドロキシシロキサンの水溶液又は水性アルコール溶液で処理し、-こうして処理したフォトレジスト層を酸素含有プラズマ中でエッチングすることを特徴とする高度に解像されたレジスト構造物の製法。
IPC (9)：
H01L 21/3065
, G03F 7/029
, G03F 7/038 505
, G03F 7/039 501
, G03F 7/20 502
, G03F 7/32
, G03F 7/36
, H01L 21/027
, H01L 21/312
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 569 H
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
