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J-GLOBAL ID：200903027851303856

半導体ウェハーのダイシング方法

Inventor： 岡本 富美夫
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007360
Publication number (International publication number)：1993198671
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フルカット法またはセミフルカット法のダイシングを行うときに、ウェハーに貼付したシートを保持するためのフレームを不要としたダイシング方法を提供する。【構成】 被加工ウェハー4は裏面研削によってその厚みは400〜500μmに仕上げられている。被加工ウェハー4の裏面には、ポリ塩化ビニール製またはポリエチレン製のシート5が貼付されている。このシートは被加工ウェハー4の裏面形状と実質的に同一の形状をしている。被加工ウェハー4の周縁部(たとえば外周から2cmの範囲)には切削溝を形成せず、それより内側の領域(中央から約8cmの範囲)にのみ従来と同様のフルカット法による素子間の切削溝形成を行う。この場合の切削溝の深さは図1(b)の破線6に示すようになる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハーの裏面に前記裏面と実質的に同一形状のシートを貼付する工程と、前記半導体ウェハーの外周から一定距離内にある領域を除き、前記半導体ウェハーの表面から、少なくとも前記半導体ウェハーの厚みの半分以上の深さのダイシング溝を形成する工程とを有する半導体ウェハーのダイシング方法。