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J-GLOBAL ID：200903027855321395
エッチング装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八木田 茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995116154
Publication number (International publication number)：1996311667
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Nov. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】 真空チャンバ内でプラズマを用いたエッチング現象を利用して基板をエッチングするエッチング装置において、高均一で高速のエッチングを、チャージアップダメージなしで実現できるようにすること。【構成】 真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための同軸上に配列した三つの磁場発生コイルのうち下方のコイルと同じ高さまたはそれより下流側に、下方の磁場発生コイルと逆向きの電流を流すことにより基板上の磁場の強度を、電子のラーマ円周長が電子の平均自由行程より大きくなるように制御する磁場補正コイルを設けたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
円筒形で側面が誘電体の真空チャンバ内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための同軸上に配列した三つの磁場発生コイルから成り、隣接コイルに互いに逆向きの電流を流すことにより環状磁気中性線の半径を調整すると同時に磁場ゼロの位置での磁場の勾配を調整するようにした磁場発生手段と、この磁場発生手段によって真空チャンバ内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための少なくとも1重の高周波コイルから成り、磁気中性線の近くに位置した磁場発生コイルの内側に配置されている電場発生手段とを有し、形成される磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に直流あるいは高周波バイアスを印加するようにした基板電極を設けたエッチング装置において、三つの磁気中性線形成磁場発生コイルのうち下方のコイルと同じ高さまたはそれより下流側に、下方の磁場発生コイルと逆向きの電流を流すことにより基板上の磁場の強度を、電子のラーマ円周長が電子の平均自由行程より大きくなるように制御する磁場補正コイルを設けたことを特徴とするエッチング装置。
IPC (2)：
FI (2)：
C23F 4/00 G
, H01L 21/302 B
