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J-GLOBAL ID：200903027866135496

半導体発光素子およびその製法

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202480
Publication number (International publication number)：1996064913
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 格子定数の不一致や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子およびその製法を提供する。【構成】 (a)単結晶シリコン基板1上に形成される絶縁膜2、(b)前記絶縁膜上に成膜されるチッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、および(c)前記チッ化ガリウム系化合物半導体層4上に続けて成長され、少なくともn型層およびp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶層5、6、7を有する。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板、該単結晶シリコン基板上に形成された絶縁膜および該絶縁膜上に積層されたチッ化ガリウム系化合物半導体層を構成要素とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00