成膜方法及び成膜装置並びに絶縁膜及び半導体集積回路

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001203688
Publication number (International publication number)：2002359242
Application date： Jul. 04, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】ホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供する。【解決手段】円筒状容器1内にプラズマ50を生成し、円筒状容器1内に窒素原子を主に励起した後、ホウ素および炭素と反応させ、基板60にホウ素炭素窒素膜61を成膜する。

Claim (excerpt)：

成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内に窒素原子を主に励起した後、励起された窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 , C23C 16/38 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/318 B , C23C 16/38 , H01L 21/31 C , H01L 21/90 K

F-Term (41)：

4K030AA03 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA36 , 4K030BA49 , 4K030FA04 , 4K030JA05 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033RR05 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033TT01 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033XX24 , 5F045AA08 , 5F045AC03 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AE09 , 5F045AF03 , 5F045CB05 , 5F045DC63 , 5F045DP02 , 5F045EB02 , 5F045EE12 , 5F045EH11 , 5F045EH19 , 5F058BA20 , 5F058BC09 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF26 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-099049
特開平2-054770
特開昭63-037637

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