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J-GLOBAL ID：200903027885548076
半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994233178
Publication number (International publication number)：1996097502
Application date： Sep. 28, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 GaN系化合物半導体からなる半導体レーザの設計上、発振光のノイズ、横方向の光の広がり、キンクおよび縦モードの制御が行われやすい構造を提供する。【構成】 チッ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層が該活性層4よりバンドギャップエネルギーが大きいチッ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層3、5、7により挟持されてなる半導体レーザであって、前記上部または下部クラッド層の少なくとも一方の層中に前記活性層で発生せられる光を吸収する材料で、かつ、チッ化ガリウム系化合物半導体とは異なる半導体からなり、ストライプ溝が形成された電流阻止層6が設けられている。
Claim (excerpt)：
チッ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層が該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいチッ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層により挟持されてなる半導体レーザであって、前記上部または下部クラッド層の少なくとも一方の層中に前記活性層で発生せられる光を吸収する材料で、かつ、チッ化ガリウム系化合物半導体とは異なる半導体からなり、ストライプ溝が形成された電流阻止層が設けられてなる半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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