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J-GLOBAL ID：200903027893933655

半導体製造装置

Inventor： 内田 直喜 ,  佐々木 正彦 ,  矢部 泰司 ,  川中 啓二 ,  難波 秀之 ,  難波 政雄
Applicant, Patent owner： 三井造船株式会社
Agent (1)： 村上 友一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001200505
Publication number (International publication number)：2003017426
Application date： Jul. 02, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 プロセスチューブのゾーンコントロール誘導加熱を適用することによって急速加熱・温度分布制御し、昇降温時間を短縮し、スループット向上を図ることができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 ウェハホルダを収容するプロセスチューブとその周囲に配置された加熱手段を有する半導体製造装置である。プロセスチューブまたは均熱管を導電性チューブにより形成し、前記加熱手段を前記プロセスチューブまたは均熱管の長手方向に沿って配置された複数の加熱コイルを備えた誘導加熱手段によって構成する。複数の加熱コイルの周波数・電流位相を同期させて個別に電力制御可能としてプロセスチューブまたは均熱管の長手方向に沿った熱分布のゾーンコントロールを可能とした。前記プロセスチューブまたは均熱管と加熱コイルの間に風道を形成し、プロセスチューブの空冷を可能としている。

Claim (excerpt)：

ウェハホルダを収容するプロセスチューブとその周囲に配置された加熱手段を有する半導体製造装置であって、前記プロセスチューブを導電性チューブにより形成し、前記加熱手段を前記プロセスチューブの長手方向に沿って配置された複数の加熱コイルを備えた誘導加熱手段によって構成し、複数の加熱コイルの周波数・電流位相を同期させて個別に電力制御可能としてプロセスチューブの長手方向に沿った熱分布のゾーンコントロールを可能としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H05B 6/10 331 ,  H05B 6/10 371

FI (7)：

H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 J ,  H01L 21/324 T ,  H05B 6/10 331 ,  H05B 6/10 371

F-Term (21)：

3K059AA08 ,  3K059AA09 ,  3K059AA10 ,  3K059AB15 ,  3K059AB23 ,  3K059AC70 ,  3K059AD02 ,  3K059AD05 ,  3K059CD18 ,  3K059CD32 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK02 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045EK30