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J-GLOBAL ID：200903027913307390

偏光ビームスプリッタおよびその製造方法

Inventor： 片山 龍一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996236954
Publication number (International publication number)：1998082911
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 回折を利用した偏光ビームスプリッタにおいて、+1次および-1次回折光のそれぞれの効率が低いため、一方のみを利用すると光効率が低くなる。【解決手段】 面内に光学軸を有するニオブ酸リチウム基板1の表面に、2n 段階(nは2以上の整数)、例えば4段階の深さの階段状断面を有するプロトン交換領域2が形成され、このプロトン交換領域の上に周期的に形成された4段階の階段状断面を有する位相補償膜3が形成される。入射光5のうち、光学軸4に垂直な偏光成分(常光成分)は偏光ビームスプリッタを透過して透過光6となり、光学軸4に平行な偏光成分(異常光成分)は偏光ビームスプリッタで回折されて+1次回折光7を生じる。このため、+1次回折光の効率が高く、回折光を使用する場合の効率が高められる。

Claim (excerpt)：

面内に光学軸を有するニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウム基板と、この基板の表面に周期的に形成されたプロトン交換領域と、該プロトン交換領域の上に周期的に形成された位相補償膜から構成される偏光ビームスプリッタにおいて、前記プロトン交換領域は2n 段階(nは2以上の整数、以下同じ)の深さの階段状断面を有し、前記位相補償膜は前記プロトン交換領域の深さに対応する2n 段階の厚さの階段状断面を有することを特徴とする偏光ビームスプリッタ。

IPC (3)：

G02B 5/30 ,  G02B 5/18 ,  G11B 7/135

FI (3)：

G02B 5/30 ,  G02B 5/18 ,  G11B 7/135 Z