Pat
J-GLOBAL ID：200903027923193341
薄膜トランジスタ基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネルおよび液晶表示装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342869
Publication number (International publication number)：1993173177
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】ゲート電極とソース、ドレイン電極とが短絡するのを防止する。【構成】下部透明ガラス基板SUB1にパラジウムを1原子%含むアルミニウムからなる第2導電膜g2を形成し、第2導電膜g2を選択的にかつ端面を下部透明ガラス基板SUB1に対して50度以下傾斜させてエッチングし、第2導電膜g2の上部を陽極酸化して、ゲート電極GTおよび陽極酸化膜AOFを形成する。
Claim (excerpt)：
薄膜トランジスタのAlを主体とする金属からなるゲート電極の端面の基板に対する傾斜角を50度以下にしたことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
Cited by examiner (9)
Show all
Return to Previous Page
