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J-GLOBAL ID：200903027944961284

半導体装置の製造方法

Inventor： 山田 隆史
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070082
Publication number (International publication number)：1999274564
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低電圧における動作が可能で、かつ長寿命を有する高性能半導体装置を得ることができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 ZnSe基板の上に、ZnSe薄膜とZnTe薄膜とを交互に成長させ、それによって、ZnSe基板の上にZnSe/ZnTeの多層薄膜を形成する。上記多層薄膜は、ZnTeが1原子層のみであり、ZnSe薄膜の膜厚が、上の層に進むにつれて徐々に薄くなるように、形成される。形成されたZnSe/ZnTeの多層薄膜の上に金属膜を形成する。

Claim (excerpt)：

ZnSe基板の上に、ZnSe薄膜とZnTe薄膜とを交互に成長させ、それによって、前記ZnSe基板の上にZnSe/ZnTeの多層薄膜を形成する工程と、前記ZnSe/ZnTeの多層薄膜の上に金属膜を形成する工程とを備え、ZnTe1原子層のみ成長させ、上の層に進むにつれて、前記ZnSe薄膜の膜厚が徐々に薄くなるように、前記多層薄膜を成長させる、半導体装置の製造方法。