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J-GLOBAL ID：200903027948491363

半導体装置の製造方法、及びそれに用いるプラズマエッチング装置

Inventor： 山本 清二 ,  横川 賢悦 ,  辻本 和典 ,  田地 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000227552
Publication number (International publication number)：2002043277
Application date： Jul. 24, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】ドライエッチング工程終了後、表面に残されるダメージ層あるいは汚染層がデバイス性能に大きな影響を与える。これらの不要な層を取り除くための、低損傷性で高精度な後処理方法および後処理装置が求められている。【解決手段】これらダメージ層や汚染層を除去する工程として、エッチング工程の後に後処理工程を取り入れる。この工程でのダメージ発生を極力抑えるため、ダメージ層105あるいは汚染層106を構成している原子と反応が可能な吸着層を表面に形成し、これに、反応を誘起できるぎりぎりの運動エネルギーを持つイオンフラックスを照射することにより達成される。この工程を実現する手段として、エッチング工程後に同一処理室内で、そのまま後処理工程に移行できる、すなわち、各種制御パラメータ107で高精度な後処理モードに移行可能な平板アンテナ型UHF-ECRプラズマエッチング装置101を用いる。

Claim (excerpt)：

プラズマエッチング装置内にあって、上部電極と下部電極の間に形成される単一の処理室内で、ウエハにエッチングを施すエッチング工程と、エッチングされた該ウエハの後処理工程とを行うよう構成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (18)：

5F004AA07 ,  5F004AA14 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BD07 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004EA38 ,  5F004FA08