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J-GLOBAL ID：200903027957304568

電界効果トランジスタ

Inventor： 星 正勝 ,  三原 輝儀
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996008656
Publication number (International publication number)：1997199721
Application date： Jan. 22, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、チャネル抵抗を増大させることなく、ドレイン抵抗を大幅に低減することでオン抵抗を低減することを目的とする。【解決手段】 ソース領域70及びチャネルが形成されるベース領域40をシリコン半導体で形成し、ドレイン領域20,30の少なくとも一部をシリコン半導体よりもバンドギャップの大きいワイドバンドギャップ半導体で形成し、シリコン半導体で形成された領域30,40,70をゲート電極60で挟んだ構造としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ドレイン領域、ソース領域、複数のゲート電極及び該ゲート電極に印加されるゲート電圧によって伝導度が変調されるチャネル領域を有してなる電界効果トランジスタにおいて、前記ソース領域及びチャネル領域をシリコン半導体で形成し、前記ドレイン領域の少なくとも一部をシリコン半導体よりもバンドギャップの大きいワイドバンドギャップ半導体で形成し、前記シリコン半導体で形成された領域を前記ゲート電極で挟んだ構造としてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

FI (4)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 652 R ,  H01L 29/78 653 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-019538   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭60-227476
  
• 特開昭61-276265