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J-GLOBAL ID：200903027958340290

磁界センサー及びその製造方法

Inventor： モーリス・ムサ・ドベック ,  ロバート・エドワード・フォンタナ、ジュニア ,  バージル・シモン・スペリオス ,  ジャクリン・ケトナー・スポング
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995283070
Publication number (International publication number)：1996226960
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】SVセンサーを利用したブリッジ回路磁界センサーを提供する。【解決手段】本発明の磁界センサーは、基板と、前記基板上に形成された第1、第2、第3及び第4のスピンバルブ素子(A〜D)と、前記基板上に形成され且つ前記4つのスピンバルブ素子と相互接続する導電体とを備える。前記スピンバルブ素子の各々は、磁界が付加されないとき良好な磁化軸を有する自由な強磁性層(36)、前記自由な強磁性層に隣接する非磁性スペーサ層(37)、及び前記スペーサ層に隣接するピン止め強磁性層(39)を有し、その磁化軸はある角度で前記自由な強磁性層の良好な磁化軸にピン止めされ、前記4つの自由な層の良好な磁化軸は実質的に互いに平行であり、そして前記4つのピン止め層の磁化軸は実質的に互いに平行又は逆平行である。

Claim (excerpt)：

磁界センサーであって、基板と、前記基板上に形成された第1、第2、第3及び第4のスピンバルブ素子と、前記基板上に形成され且つ前記4つのスピンバルブ素子と相互接続する導電体とを備え、前記スピンバルブ素子の各々は(a) 磁界が付加されないとき良好な磁化軸を有する自由な強磁性層、(b) 前記自由な強磁性層に隣接する非磁性スペーサ層及び(c) 前記スペーサ層に隣接するピン止め強磁性層を有し、その磁化軸は前記自由な強磁性層の良好な磁化軸にある角度でピン止めされ、前記4つの自由な強磁性層の良好な磁化軸は実質的に互いに平行であり、そして前記4つのピン止め強磁性層の磁化軸は実質的に互いに平行又は逆平行である磁界センサー。

IPC (2)：

G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (2)：

G01R 33/06 R ,  H01L 43/08 Z