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J-GLOBAL ID：200903027961697701

原子間力顕微鏡用プローブの製造方法

Inventor： 鈴木 美彦 ,  中村 肇 ,  岩崎 純 ,  松原 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 三品 岩男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323164
Publication number (International publication number)：1993157553
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、原子間力顕微鏡用のプローブの針状チップの先端の角度をシリコンの結晶配列から決定される角度よりも鋭くすることができる製造方法を提供する。【構成】針状のチップと前記針状チップに連続して設けられた可撓体部を有する原子間力顕微鏡用プローブの製造方法において、半導体単結晶基板上に、開口部の面積より底部の面積の小さい凹部を設け、該凹部の内壁を酸化することにより内壁面を急峻化した後、前記凹部内壁および基板上に皮膜を形成し、つぎに前記凹部内壁の酸化部分と凹部周辺の基板を取り除くことにより、前記皮膜から構成される針状チップと可撓体部とを形成することを特徴とする原子間力顕微鏡用プローブの製造方法。

Claim (excerpt)：

針状のチップと前記針状チップに連続して設けられた可撓体部を有する原子間力顕微鏡用プローブの製造方法において、半導体単結晶基板上に、開口部の面積より底部の面積の小さい凹部を設け、該凹部の内壁を酸化することにより内壁面を急峻化した後、前記凹部内壁および基板上に皮膜を形成し、つぎに前記凹部内壁の酸化部分と凹部周辺の基板を取り除くことにより、前記皮膜から構成される針状チップと可撓体部とを形成することを特徴とする原子間力顕微鏡用プローブの製造方法。

IPC (4)：

G01B 21/30 ,  H01J 9/14 ,  H01J 37/28 ,  G01B 7/34