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J-GLOBAL ID：200903027962787267

エピタキシャルウェハ及びその製造方法

Inventor： 日下 卓久
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992355507
Publication number (International publication number)：1994163410
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 不純物濃度の安定なエピタキシャル層を形成し、且つ重金属系の汚染を少なくして、特性が均一で且つ優れた半導体装置を形成することができるエピタキシャルウェハを提供する。【構成】 Siウェハ11にAs12及びC13をイオン注入した後、Siウェハ11上にエピタキシャル層14を形成する。Asは拡散係数が小さいので、Siウェハ11からエピタキシャル層14へのAs12の拡散が少なく、しかもAs12のイオン注入によって、Siウェハ11の不純物濃度が均一に近づいている。また、C13はSiウェハ11にゲッタリングサイトを形成する。

Claim (excerpt)：

基板ウェハ上にエピタキシャル層が設けられているエピタキシャルウェハの製造方法において、前記基板ウェハにAs及びCを導入する工程と、前記導入の後に、前記基板ウェハ上に前記エピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/148

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-219636
  
• 特開昭61-089623
  
• 特表2049-501948