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J-GLOBAL ID：200903027996877761

半導体装置

Inventor： 吉田 和彦 ,  工藤 基 ,  大江 崇智 ,  藤平 龍彦
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998094714
Publication number (International publication number)：1999297846
Application date： Apr. 07, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】バイポーラIC、MOSIC、Bi-CMOSICにおいて、半導体プロセス完了後に回路系の接続、定数の調整等をおこなうため、構成が単純で、形成位置が自由であり、回路系の電源ラインやGNDライン以外の中間電位も取りやすく、かつ形成の容易なザップ素子を設ける。【解決手段】半導体装置の厚いフィールド酸化膜644の上に多結晶シリコンからなるnpn三層構造のザップダイオード650を形成し、このザップダイオード650をツェナーザップに使用する。

Claim (excerpt)：

バイポーラ半導体素子を有するバイポーラIC、MOS型半導体素子を有するMOSICまたはバイポーラ半導体素子とMOS型半導体素子とを集積したBi-CMOSICである半導体装置において、半導体装置の回路要素と並列、または直列に接続され、半導体プロセス完了後に高エネルギの印加により短絡できるザップダイオードを、半導体装置と同一の半導体基板上に絶縁膜を介して備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/78 656 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ツェナーザップダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-134197   Applicant：ソニー株式会社