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J-GLOBAL ID：200903028014460850
化合物半導体素子およびその作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上代 哲司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991196613
Publication number (International publication number)：1993041529
Application date： Aug. 06, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高いp層キャリア濃度と急峻なpn接合界面を有し、接合位置の正確な制御が可能な、超階段型GaAs可変容量ダイオードおよびその作製方法を提供する。【構成】 p型層をCドープすることにより高濃度のp型GaAsを得る。その作製方法は、OMVPE法により、p型GaAs層の成長にはV族有機金属原料を用い、n型GaAs層の成長にはV族水素化物原料を用い同時にn型不純物ガスを用いる。または、n型GaAs層を塩化物輸送による気相成長法で成長し、p型GaAs層を有機金属気相成長法で成長しp型ドーパントとして炭素を用いることを特徴とする、GaAsからなる超階段接合を有する可変容量ダイオードの作製方法である。
Claim (excerpt)：
pn接合を有する化合物半導体素子において、p型ドーパントとして炭素を用いたことを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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