めっき方法およびめっき装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372817
Publication number (International publication number)：2000195823
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】電気めっき法を用いて半導体ウェハ上にめっき層を形成する方法において、ウェハ外周部のめっき層厚さがウェハ内側のめっき層より薄く、かつウェハの広い面積において均一な厚さのめっき層を形成する。【解決手段】本発明では、図1のようなめっき装置を用い、対向するアノード電極1とウェハ(カソード電極)2の間に取り付けられた外周が絶縁壁5に接しかつ孔をもつ電流遮蔽板31〜33の穴径及び設置位置を変化させ、電極4がウェハ外周部と接しているために起こるウェハ面外周部への電流集中を電流遮蔽板31により抑制し、かつ電流遮蔽板32,33により外周部を除いた部分の膜厚分布が均一になる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ上に形成された導電性薄膜に半導体ウェハ外周部から給電してカソード電極とする電気めっき法において、めっき処理された半導体ウェハの外周部めっき層厚さがウェハ内側のめっき層厚さより薄くなるようにめっきすることを特徴とするめっき方法。

IPC (6)：

H01L 21/288 , C25D 3/38 101 , C25D 7/12 , C25D 17/10 , C25D 21/12 , H01L 21/3205

FI (6)：

H01L 21/288 E , C25D 3/38 101 , C25D 7/12 , C25D 17/10 A , C25D 21/12 A , H01L 21/88 K

F-Term (17)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K024AA09 , 4K024BB12 , 4K024CB01 , 4K024CB21 , 4K024GA02 , 4M104BB04 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033MM01 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033XX35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

カップ式めっき装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-215027 Applicant：日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社
特開平4-280992
ウェハメッキ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-319026 Applicant：株式会社東芝

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