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J-GLOBAL ID：200903028038498999

半導体バイオセンサ

Inventor： ゲールハルト アブストライター ,  マルク トルノブ ,  カリン ブハホルツ ,  セバスティアン ルバー ,  エーリヒ サックマン ,  アンドレアス バウシュ ,  ミヒャエル ニコライデス ,  シュテファン ラウシェンバハ
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 篤 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003135598
Publication number (International publication number)：2003329638
Application date： May. 14, 2003
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 感応性ナノ構造デバイスの電気的応答を使用して、タンパク質あるいはその他の生体分子の選択的な認識や検出を直接的に行うことのできる半導体バイオセンサを提供すること。【解決手段】 リソグラフィー法に基づくシリコン加工技術によってシリコン-オン-インシュレータ(SOI)基板から加工された電界効果トランジスタ(FET)を備えるとともに、前記トランジスタの構造体において、埋め込みSiO2(BOX)層によってバルクSiから分離されたトップSi層内の表面近傍導電性薄膜に導電性が限定されており、かつ前記FETが感応性表面によって被覆されているように構成する。

Claim (excerpt)：

ターゲットの分子やそれらの分子の相互作用を検出するためのものであって、リソグラフィー法に基づくサブミクロンのシリコン(Si)加工技術によってシリコン-オン-インシュレータ基板から加工された電界効果トランジスタ(FET)を備えるとともに、前記トランジスタの構造体において、埋め込みSiO2層によってバルクSiから分離されたトップSi層内の表面近傍導電性薄膜に導電性が限定されており、かつ前記FETが感応性表面によって被覆されていることを特徴とする半導体バイオセンサ。

FI (3)：

G01N 27/30 301 N ,  G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 国際出願公開公報、WO00/51180
  
• ドイツ特許出願公開公報、DE10006760A1
  

Cited by examiner (3)

• 半導体イオンセンサ及びその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227701   Applicant：富士通株式会社
• トランジスタによる分子検出装置および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-537156   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• バイオセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-101309   Applicant：セイコーエプソン株式会社