窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994295433
Publication number (International publication number)：1996153931
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】サファイア基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体がレーザ素子となる構造で積層されたウェーハから半導体層に光共振面を実現できるレーザ素子の製造方法を提供する【構成】サファイア基板の(0001)面の表面に窒化ガリウム系化合物半導体をレーザ素子の構造に積層した後、そのサファイア基板を各側面の内のいずれかの面方位で割ることにより半導体レーザ素子の光共振面を作製する。

Claim (excerpt)：

サファイア基板の(0001)面の表面に窒化ガリウム系化合物半導体をレーザ素子の構造に積層した後、そのサファイア基板を【数1】【数2】【数3】【数4】【数5】【数6】面の内のいずれかの面方位で割ることにより半導体レーザ素子の光共振面を作製することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体レーザ素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041583 Applicant：株式会社日立製作所

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