p型GaN系半導体の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162473
Publication number (International publication number)：1996032113
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】クラック等の発生を抑制して不良率を低減し得、かつ製造工程を簡略化してコストを低減し得るp型GaN系半導体の製造方法を提供すること。【構成】本発明のp型GaN系半導体の製造方法は、p型不純物をドープしたGaN系半導体を成長させた後、望ましくは不活性ガス雰囲気下で、自然冷却よりも遅い速度で冷却することを特徴とするものである。【効果】半導体成長後に後処理的な熱処理が不要であり、また半導体を徐々に冷却するため該半導体層におけるクラック等の発生が抑制される。

Claim (excerpt)：

p型不純物をドープしたGaN系半導体を成長させた後、自然冷却よりも遅い速度で冷却することを特徴とするp型GaN系半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/324 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-274699
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357046 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭64-030110

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