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J-GLOBAL ID：200903028043440680
メッキパターン形成方法及びこれを使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994145387
Publication number (International publication number)：1995331482
Application date： Jun. 03, 1994
Publication date： Dec. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 MR/Indヘッドにおけるコイルパターン等のメッキパターンを、剥離が起き難く寸法精度が良好な状態で形成する。【構成】 従来のメッキ法におけるレジスト工程とメッキ工程との間に、下地膜31の表面をプラズマ雰囲気にさらすアッシング工程と、その後基板をメッキ工程時のメッキ溶液に入れメッキ工程と逆極性の電圧を印加して下地膜31の表面を湿式エッチングするエッチング工程とを設ける。それにより、図1(d)に示すように下地膜31の露出表面をメッキ工程前に確実に清浄なものとすることができ、剥離が起き難く寸法精度の良好なコイルパターン12が形成できる。
Claim (excerpt)：
基板上にメッキパターンを形成するメッキパターン形成方法であって、基板上に下地膜を形成する下地膜形成工程と、フォトリソグラフィー技術により前記下地膜上のメッキパターンとしない部分にフォトレジストをパターンニングするレジスト工程と、このレジスト工程の後にメッキパターンを構成する物質のイオンを含むメッキ溶液に基板を入れ電圧を印加して前記下地膜のメッキパターンとする部分のみにメッキ膜を成長させるメッキ工程とを有し、前記レジスト工程とメッキ工程との間に、前記下地膜表面をプラズマ雰囲気にさらすアッシング工程を設け、更に、前記アッシング工程とメッキ工程との間に、基板を前記メッキ溶液に入れ前記メッキ工程と逆極性の電圧を印加して前記下地膜表面を湿式エッチングするエッチング工程を設けたことを特徴とするメッキパターン形成方法。
IPC (6)：
C25D 5/02
, C25D 5/34
, C25F 3/02
, G11B 5/31
, G11B 5/39
, H05K 3/18
