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J-GLOBAL ID：200903028064332250

半導体ウエハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法

Inventor： 中島 純 ,  藤井 靖久 ,  片岡 真 ,  平井 健太郎 ,  福本 英樹 ,  熊谷 誠敏
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Agent (1)： 苗村 新一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000258426
Publication number (International publication number)：2002069396
Application date： Aug. 29, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハの裏面加工において充分な保護性能を有し、且つ、半導体ウエハの反りを矯正し得る半導体ウエハ保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法を提供する。【解決手段】 厚みが50〜350μmである基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも3層からなる実質的に対称の層構造をなし、その表裏の最外層が貯蔵弾性率(E’)が1×105〜1×108Pa、厚みが10〜150μmである低弾性率フィルム、内層が貯蔵弾性率(E’)が2×108〜1×1010Pa、厚みが10〜150μmである高弾性率フィルムによりそれぞれ形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルム。

Claim (excerpt)：

厚みが50〜350μmである基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも3層からなる実質的に対称の層構造をなし、その表裏の最外層が貯蔵弾性率(E’)が1×105〜1×108Pa、厚みが10〜150μmである低弾性率フィルム、内層が貯蔵弾性率(E’)が2×108〜1×1010Pa、厚みが10〜150μmである高弾性率フィルムによりそれぞれ形成された半導体ウエハ保護用粘着フィルム。

IPC (2)：

C09J 7/02 ,  H01L 21/304 622

FI (2)：

C09J 7/02 Z ,  H01L 21/304 622 J

F-Term (6)：

4J004AB01 ,  4J004CA04 ,  4J004CA06 ,  4J004CC03 ,  4J004FA04 ,  4J004FA05