窒化物半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001230551
Publication number (International publication number)：2002084043
Application date： Oct. 31, 1996
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】インジウムを含む窒化物半導体を包含する活性層を有する窒化物半導体素子であって、発光効率が高い窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】活性層(16)の少なくとも片面に、活性層(16)のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第1の窒化物半導体層(101)を活性層(16)に接して形成し、さらに、その上に第1の窒化物半導体層(101)のバンドギャップエネルギーよりも小さなバンドギャップエネルギーを有する第2の窒化物半導体層(102)と、第2の窒化物半導体層(102)のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第3の窒化物半導体層(103)を形成する。

Claim (excerpt)：

第1および第2の表面を有し、インジウムを含有する窒化物半導体を包含する量子井戸構造の活性層、並びに該活性層の第1の表面に接して形成され、該活性層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第1の窒化物半導体層と、該活性層の第1の表面側において、該第1の窒化物半導体層よりも該活性層から離れた位置に形成され、該第1の窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さなバンドギャップエネルギーを有する第2の窒化物半導体層と、該活性層の第1の表面側において、該第2の窒化物半導体層よりも該活性層から離れた位置に形成され、該第2の窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第3の窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層構造を備えたことを特徴とする窒化物半導体デバイス。

F-Term (13)：

5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB17 , 5F073CB19 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA35 , 5F073EA23 , 5F073GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-164732 Applicant：古河電気工業株式会社
特開昭61-156788
特開昭61-015385

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

日経エレクトロニクス, 19960115, No.653, p.13-15

Return to Previous Page