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J-GLOBAL ID：200903028085923282

半導体ウェーハの研削方法及びその装置

Inventor： 稲葉 高男
Applicant, Patent owner： 株式会社東京精密
Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997193863
Publication number (International publication number)：1999033887
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Feb. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体ウェーハの裏面研削時に半導体ウェーハのエッジ部分に発生する加工変質層を除去することができる半導体ウェーハの研削方法及びその装置を提供する。【解決手段】本発明は、半導体ウェーハ22の裏面22Bを研削するカップ型砥石24と、半導体ウェーハ22のエッジ22Cを面取りする砥石36とを備え、カップ型砥石24による裏面22Bの研削加工と、砥石36によるエッジ22Cの面取り加工とを同時に行う。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハを保持して、該半導体ウェーハの片面を研削加工する半導体ウェーハの研削方法において、前記半導体ウェーハの片面の研削加工と、該半導体ウェーハのエッジの面取り加工とを同時に行うことを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。

IPC (3)：

B24B 9/00 601 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 331

FI (3)：

B24B 9/00 601 H ,  H01L 21/304 301 B ,  H01L 21/304 331

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体基板の研削方法及び研削装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-173849   Applicant：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社