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J-GLOBAL ID：200903028087462576

ウェハの位置決め方法およびそれを用いた半導体製造装置

Inventor： 川原 雅人 ,  笠原 修
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053530
Publication number (International publication number)：1994268048
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 処理用治具でのウェハの位置ずれを防止し、特に成膜工程におけるウェハの位置決め精度を向上させてウェハ面内およびウェハ間の膜厚均一性を向上できるウェハの位置決め方法およびそれを用いた半導体製造装置を提供する。【構成】 縦型CVD装置に適用され、反応性ガスを供給して成膜処理を行う反応管と、チャンバの内部にボートエレベータによって上下動する石英ボート4と、この石英ボート4にウェハ5をウェハカセットから移し換える移載装置などから構成されている。そして、石英ボート4には、ウェハ5が搭載される所定の角度だけ傾斜された複数段の棚8が設けられ、それぞれの棚8にはウェハ5を位置決めする突起9が設けられ、この突起9に当接するようにウェハ5が所定の角度だけ傾斜して位置決めされる構造となっている。

Claim (excerpt)：

ウェハを処理用治具の所定の位置に位置決めするウェハの位置決め方法であって、前記処理用治具に、前記ウェハを位置決めする位置に位置決め機構を設け、該位置決め機構に当接するように前記ウェハを所定の角度だけ傾斜させて位置決めすることを特徴とするウェハの位置決め方法。

IPC (4)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31