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J-GLOBAL ID：200903028101759030

表面・界面構造解析方法

Inventor： 杉山 宗弘 ,  前山 智 ,  尾嶋 正治
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993041781
Publication number (International publication number)：1994235707
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 表面あるいは界面を構成する原子の化学結合状態が異なっていても原子配列を解析することができる表面・界面構造解析方法を提供する。【構成】 酸化された硫黄表面処理砒化ガリウム(111)B面試料を対象として、未酸化硫黄原子のX線吸収端近傍構造が観測されるエネルギである2472eVの単色軟X線を試料に照射する。その入射角をブラッグ回折角である50.201度を中心として変化させて、X線定在波によって励起された硫黄原子からの硫黄Kα蛍光X線の強度を測定する。同様に、酸化硫黄原子のX線吸収端近傍構造が観測されるエネルギである2482eVの単色軟X線をブラッグ回折角である49.925度を中心として試料に照射して測定する。これらの強度プロファイルにより、未酸化硫黄原子の位置と酸化硫黄原子の位置を区別して解析することができる。

Claim (excerpt)：

試料の結晶構造によってブラッグ回折を起こす特定の入射角でX線を入射させることにより、入射X線と回折X線の干渉効果からX線定在波を生じさせ、このX線定在波によって励起された原子からの二次放射線を測定する表面・界面構造解析方法において、試料の表面層あるいは組成の異なる層からなる多層構造の試料の界面層を構成する原子のX線吸収端のエネルギ、又は前記原子のX線吸収端よりも高いエネルギ領域においてX線吸収端近傍構造が観測されるエネルギを有する単色X線を前記試料に入射させることを特徴とする表面・界面構造解析方法。