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J-GLOBAL ID：200903028118798047

近接場光プローブおよびその作製方法

Inventor： 松本 拓也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000238863
Publication number (International publication number)：2002048697
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、金属の散乱体が誘電体中に埋め込まれ、かつ平均面粗さ10nm以下程度に平坦な近接場光プローブを作製する方法を提供することを目的とする。【解決手段】ダミー膜201を形成したダミー基板202上に金属の散乱体を形成し、その上に誘電体の膜を形成した後、プローブの母体となる基板206を接着し、最後にダミー膜を除去することにより、ダミー基板を除去する。

Claim (excerpt)：

ダミー基板上にダミー膜を形成する工程と、ダミー膜上に金属の散乱体を形成する工程と、散乱体の上に誘電体の膜を形成する工程と、誘電体の膜上に基板を貼りつける工程と、ダミー膜を除去しダミー基板を除去する工程を有することを特徴とする近接場光プローブ作製方法。

IPC (6)：

G01N 13/14 ,  G01N 13/10 ,  G02B 5/00 ,  G11B 7/135 ,  G11B 7/22 ,  G12B 21/06

FI (6)：

G01N 13/14 B ,  G01N 13/10 G ,  G02B 5/00 Z ,  G11B 7/135 A ,  G11B 7/22 ,  G12B 1/00 601 C

F-Term (8)：

2H042AA00 ,  2H042AA02 ,  2H042AA18 ,  2H042AA31 ,  5D119AA22 ,  5D119BB20 ,  5D119JA70 ,  5D119NA05