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J-GLOBAL ID：200903028142654439

イオンビーム投射方法およびその装置

Inventor： 梅村 馨 ,  間所 祐一 ,  川浪 義実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996093826
Publication number (International publication number)：1997283411
Application date： Apr. 16, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】イオンビームをステンシルマスクに通過させて形成したパターンイオンビームの投射によって生じる試料の帯電を簡便に中和する。【解決手段】ステンシルマスク3のパターン投射領域に対応する開口パターン16の他に開口孔16′を設け、開口孔16′を通過して形成された小イオンビーム19を電子発生手段10に投射し、発生した二次電子20を試料7に導く。

Claim (excerpt)：

イオン源から引出したイオンを、試料に形成すべき所望のパターンに対応する開口パターンを有するステンシルマスクに照射し、上記ステンシルマスクを通過したパターンイオンビームを試料に投射して、上記開口パターンの縮小パターン投射領域を形成するイオンビーム投射方法において、上記ステンシルマスクに上記開口パターンの他に開口孔を設け、上記開口孔を通過した小イオンビームを電子発生手段に投射し、上記電子発生手段から放出した電子を上記試料に導くことを特徴とするイオンビーム投射方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (3)：

H01L 21/30 541 P ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 S