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J-GLOBAL ID:200903028145867581

半導体装置用金属部品、その製造方法及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 越場 隆
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994248500
Publication number (International publication number):1995135276
Application date: Sep. 16, 1994
Publication date: May. 23, 1995
Summary:
【要約】【構成】 20〜50体積%のCuと、1重量%以下のNiとを含み、残部がWおよび/またはMoを含む合金で一体に成形された金属ベース10と金属枠体2とを備える半導体装置用金属部品。1重量%未満のNi粉末を含み、残部がW粉末、Mo粉末、WとMoとの混合粉末またはW-Mo合金粉末である金属粉末の成形体にCuを溶浸して形成された金属組織で構成されている。【効果】 良好な熱放散性、搭載する半導体や他のセラミック、ガラス部品と近似した熱膨張係数を有し、高い信頼性および寸法精度を実現している。後加工が、殆ど不要なので製造コストが低減できる。
Claim (excerpt):
半導体装置を搭載する金属ベースと、該金属ベースと一体に形成された金属部材とを備える半導体装置用金属部品において、前記金属ベースと金属部材とが、20〜50体積%のCuと、1重量%以下のNiとを含み、残部がW及び/又はMoの合金で構成され、少なくとも1面の機械加工されていない面を有し、この面の極く表層部のCu含有量が内部のCu含有量以下であることを特徴とする半導体装置用金属部品。
IPC (3):
H01L 23/14 ,  H01L 23/04 ,  H01L 23/06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭59-141248
  • 特開平2-031863
  • 特開昭59-143347
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