Pat
J-GLOBAL ID：200903028146545030
ガスセンサ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
塩入 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994254752
Publication number (International publication number)：1996094559
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 厚膜型ガスセンサでの、ロット間の抵抗値変動を防止する。【構成】 金属酸化物半導体膜8に接続した一対の電極を、膜8の内部で複数の枝10〜15に枝別れされ、膜8の外部へ引出し部18で引出し、結合部16に結合する。引出し部18を膜8の抵抗値に応じてカットし、抵抗値を調整する。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上にガスにより抵抗値が変化する金属酸化物半導体膜と、この金属酸化物半導体膜に接続した一対の電極と、前記金属酸化物半導体膜を加熱するためのヒータとを設けたガスセンサにおいて、前記金属酸化物半導体膜は基板表面の一部のみを覆うようにし、前記一対の電極の少なくとも一方を、金属酸化物半導体膜の内部で複数の枝に枝別れさせ、かつ枝を金属酸化物半導体膜の外に引き出して、金属酸化物半導体膜の外で枝を結合したことを特徴とする、ガスセンサ。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
