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J-GLOBAL ID：200903028156204282

半導体記憶装置

Inventor： 古庄 辰記 ,  森 昇
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041166
Publication number (International publication number)：1993243386
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 救済されたアドレスの確認、不良解析が容易な半導体記憶装置を得る。【構成】 ヒューズ回路f0〜fnの出力を入力する出力制御回路A13と、テストモード時にイネーブルとなるTEST信号14を制御信号として、テストモード時にヒューズ回路f0〜fnの情報を出力するデータピン15とを設ける。

Claim (excerpt)：

冗長回路を有する半導体記憶装置において、レーザ光で溶断し得る複数個のヒューズを予備ライン用デコーダとテストモード信号で制御される出力制御回路に入力し、上記出力制御回路の出力をデータピンと接続したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/82 ,  G11C 29/00 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 481