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J-GLOBAL ID：200903028160811029

半導体リレー

Inventor： 仲矢 実 ,  高橋 雅樹
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 渡辺 正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996272048
Publication number (International publication number)：1998126239
Application date： Oct. 15, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 オフセットのない半導体リレーを実現する。【解決手段】 LEDとフォトダイオードと一対の高耐圧DMOSFETからなる半導体リレーにおいて、前記半導体リレーに発生するオフセット電圧を抑制するように前記LEDと一対の高耐圧DMOSFETを配置した。

Claim (excerpt)：

LEDとフォトダイオードと一対の高耐圧DMOSFETからなる半導体リレーにおいて、前記半導体リレーに発生するオフセット電圧を抑制するように前記LEDと一対の高耐圧DMOSFETを配置したことを特徴とする半導体リレー。

IPC (2)：

H03K 17/78 ,  H01L 31/12

FI (2)：

H03K 17/78 J ,  H01L 31/12 G