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J-GLOBAL ID：200903028161363216

熱プラズマ発生法及び製膜装置

Inventor： 鈴木 茂夫 ,  黒川 英雄 ,  野島 貴志 ,  三谷 力
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186119
Publication number (International publication number)：1993033114
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、プラズマ溶射あるいは熱プラズマCVD等で製膜する場合の熱プラズマ発生法と装置に関するものであり、特に大面積基板へ均一に高スループットで製膜できる製膜装置に関するものである【構成】 奥行き方向に長い陰極15とそれに沿った陽極19を設け、陰極先端部17と噴出口21を形成する陽極19との間で発生するアーク25に略垂直に作用する磁界26を付与する電磁石27を設け、電磁石27の励磁コイル32に印加する電流の方向を可変してアーク25を往復移動させる

Claim (excerpt)：

奥行き方向に長い陰極先端部と、プラズマ作動ガス通路空間を隔てて陰極を取り囲むとともに、陰極先端部よりも下流に設けた断面が偏平スリット形状なプラズマ噴出口を形成する陽極部との間でアークを発生させ、磁石によって前記アーク柱に対して略垂直の磁界を作用せしめ、前記発生アークを前記陰極先端部と陽極部上で往復移動させながら、偏平スリット状のアークプラズマをプラズマ噴出口より発生させる熱プラズマ発生法

IPC (3)：

C23C 4/12 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50