Pat
J-GLOBAL ID:200903028171559704
シリコンウエハーの品質評価方法及び再生方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
小谷 悦司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000402531
Publication number (International publication number):2002026096
Application date: Dec. 28, 2000
Publication date: Jan. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】 シリコンウエハー内部の結晶欠陥を非破壊的に精度良く検出することのできるシリコンウエハーの品質評価方法を提供する。【解決手段】 赤外吸収スペクトルによりシリコンウエハーを分析し、下式(1)で示される吸光度の比に基づいてシリコン結晶の品質を評価することを特徴とするシリコンウエハーの品質評価方法である。【数1】式中、吸光度α1及び吸光度α2は、測定シリコンウエハーの吸光度を、ヘ ゙ースラインの吸光度BLは、測定シリコンウエハーの1030〜1170cm-1におけるベースラインの吸光度を夫々意味する。
Claim (excerpt):
赤外吸収スペクトルによりシリコンウエハーを分析し、下式(1)で示される吸光度の比に基づいてシリコン結晶の品質を評価することを特徴とするシリコンウエハーの品質評価方法。【数1】式中、吸光度α1及び吸光度α2は、測定シリコンウエハーの吸光度を、ヘ ゙ースラインの吸光度BLは、測定シリコンウエハーの1030〜1170cm-1におけるベースラインの吸光度を夫々意味する。
IPC (3):
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01N 21/35
FI (3):
H01L 21/66 N
, G01N 21/00 B
, G01N 21/35 Z
F-Term (14):
2G059AA03
, 2G059BB16
, 2G059EE01
, 2G059EE10
, 2G059EE12
, 2G059GG01
, 2G059HH01
, 2G059MM01
, 2G059MM17
, 4M106AA01
, 4M106BA08
, 4M106CA27
, 4M106CB19
, 4M106DJ38
Return to Previous Page