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J-GLOBAL ID：200903028173413081

低温接合用材料及び接合方法

Inventor： 保田 雄亮 ,  守田 俊章 ,  井出 英一 ,  宝蔵寺 裕之 ,  石井 利昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006353649
Publication number (International publication number)：2008161907
Application date： Dec. 28, 2006
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：

【課題】 実装プロセス中の接合過程において低温接合化を達成できる接合材料及び接合プロセスを提供すると共に、高温環境下においても、長期信頼性を損なうことがない半導体パッケージを提供することにある。【解決手段】 有機物で被覆された平均粒径が100μm以下の金属粒子を用いた接合材料において、100nm以下及び100nmから100μm以下の体積基準における粒度分布でそれぞれ1つ以上のピークを有し、金属粒子を被覆している有機成分の炭素数が2〜8である接合材料を特徴とする。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

炭素数が2以上8以下の有機物で被覆された平均粒径100μm以下の金属粒子を有し、100nm以下及び100nmから100μm以下の体積基準における粒度分布でそれぞれ1つ以上のピークを有する接合用材料。

IPC (5)：

B23K 35/22 ,  B23K 35/30 ,  B23K 35/40 ,  B22F 1/00 ,  B22F 1/02

FI (8)：

B23K35/22 310A ,  B23K35/30 310A ,  B23K35/30 310B ,  B23K35/40 340F ,  B23K35/30 310C ,  B22F1/00 K ,  B22F1/00 L ,  B22F1/02 B

F-Term (16)：

4K017AA03 ,  4K017AA06 ,  4K017BA02 ,  4K017CA06 ,  4K017CA07 ,  4K017CA08 ,  4K017DA01 ,  4K017DA07 ,  4K017EJ01 ,  4K017FB07 ,  4K018BA01 ,  4K018BA02 ,  4K018BB04 ,  4K018BB05 ,  4K018BC29 ,  4K018BD04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 接合材料及び接合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-272364   Applicant：株式会社荏原製作所
• 電子部品の実装方法,半導体モジュール及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-190639   Applicant：株式会社日立製作所
• 銀微粒子の製造方法、銀微粒子、銀微粒子分散液、導電性パターン、電子デバイスおよび電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-278473   Applicant：セイコーエプソン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (2)

• 接合材料及び接合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-272364   Applicant：株式会社荏原製作所
• 銀微粒子の製造方法、銀微粒子、銀微粒子分散液、導電性パターン、電子デバイスおよび電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-278473   Applicant：セイコーエプソン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所