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J-GLOBAL ID：200903028173966285

セラミック積層電子部品の製造方法

Inventor： 久保寺 紀之 ,  沢田 学
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 宮▼崎▲ 主税 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995151980
Publication number (International publication number)：1997007882
Application date： Jun. 19, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 薄膜形成法により形成された多層金属膜を用いて内部電極を形成し、比較的簡単な工程により任意の組成の内部電極を形成し得るセラミック積層電子部品の製造方法を得る。【構成】 支持体3上に第1の金属膜4を薄膜形成法により形成し、第1の金属膜4上に部分的に第2の金属膜6を薄膜形成法により形成し、別途用意したセラミックグリーンシート2と、第1,第2の金属膜4,6からなる多層金属膜とを交互に積層し、積層にあたり第2の金属膜6の下方に位置する第1の金属膜部分のみを転写し、第2の金属膜6が上に形成されていない不要な第1の金属膜部分のみを支持体3に残した状態で支持体3を剥離する、セラミック積層電子部品の製造方法。

Claim (excerpt)：

支持体上に第1の金属膜を薄膜形成法により形成する工程と、前記第1の金属膜上に、部分的に、前記第1の金属膜よりも厚みの大きな第2の金属膜を薄膜形成法により形成して多層金属膜を形成する工程と、前記多層金属膜と、セラミックグリーンシートとを交互に積層する工程とを備え、前記積層にあたり、第2の金属膜が第1の金属膜上に積層されている部分に厚み方向に圧力を加え、しかる後、第2の金属膜が上に形成されていない第1の金属膜部分を支持体に残した状態で支持体を剥離することにより前記多層金属膜を転写することを特徴とする、セラミック積層電子部品の製造方法。

IPC (3)：

H01G 4/12 364 ,  H01G 4/12 352 ,  H01G 4/30 311

FI (3)：

H01G 4/12 364 ,  H01G 4/12 352 ,  H01G 4/30 311 D