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J-GLOBAL ID：200903028174134992

光電変換装置用基板

Inventor： 瀬戸 康徳 ,  藤沢 章 ,  末吉 幸雄 ,  平田 昌宏 ,  大谷 強
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999361809
Publication number (International publication number)：2001177127
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 特に結晶質シリコン系光電変換装置に適した光電変換装置用基板を提供する。【解決手段】 ガラス板の表面に少なくとも1層の下地膜1a,1bを形成し、さらに導電膜2を形成する。導電膜の表面の凹凸を、高さ3が50〜150nm、凸部間の間隔が50〜1000nmとする。また、導電膜の膜厚を400〜1000nm、シート抵抗値を10〜30Ω/□とする。

Claim (excerpt)：

ガラス板と、前記ガラス板上に形成された少なくとも1層の下地膜と、前記下地膜上に形成された少なくとも1層の導電膜とを含み、前記導電膜の表面に凹凸が形成された光電変換装置用基板であって、前記凹凸の高さが50nm以上150nm以下であり、前記凹凸を形成する凸部間の間隔が50nm以上1000nm以下であり、前記導電膜の膜厚が400nm以上1000nm以下であり、前記導電膜のシート抵抗値が10Ω/□以上30Ω/□以下であることを特徴とする光電変換装置用基板。

F-Term (6)：

5F051FA02 ,  5F051FA17 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA24 ,  5F051GA03